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SI6953DQ-T1

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：1.9 A

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产品属性

描述	MOSFET 20V 1.9A 1W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	170 mOhms
配置	Dual Dual Source	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TSSOP-8
封装	Reel	下降时间	12 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1000 mW
上升时间	12 ns	工厂包装数量	3000
典型关闭延迟时间	17 ns

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