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SI6969BDQ-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：12 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V

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产品属性

描述	MOSFET 12V 4.6A 0.83W	漏极连续电流	4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	30 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel
下降时间	35 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	830 mW	上升时间	35 ns
工厂包装数量	3000	商标名	TrenchFET
典型关闭延迟时间	110 ns

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