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SI6991DQ-T1-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1910¥6.62
  • 3000¥5.59
  • 6000¥5.38
产品属性
描述MOSFET 30V 4.2A 0.83W漏极连续电流3.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)40 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
下降时间10 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散830 mW上升时间10 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间45 ns
零件号别名SI6991DQ-E3

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