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  • SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.80865
  • 6000$0.7787
  • 15000$0.74875
  • 30000$0.73378
  • 75000$0.7188
产品属性
描述MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C295 毫欧 @ 4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 50V
功率 - 最大52W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装带卷 (TR)其它名称SI7115DN-T1-GE3TR

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