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  • SI7138DP-T1-E3

SI7138DP-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI7138DP
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:WFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.2123
  • 6000$1.1674
  • 15000$1.1225
  • 30000$1.10005
  • 75000$1.0776
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOICFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.8 毫欧 @ 19.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs135nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds6900pF @ 30V功率 - 最大96W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8包装带卷 (TR)
其它名称SI7138DP-T1-E3TR

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