描述 | MOSFET DL N-CH 60V PPAK 1212-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 4.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 双 | 供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 Dual |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI7220DN-T1-GE3TR |