| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI7370DP-T1-E3TR |
