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SI7403DN-T1

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:2.9 A
产品属性
描述MOSFET 20V 4.5A 3.5W电阻汲极/源极 RDS(导通)100 mOhms at 4.5 V
配置Single Quad Drain Triple Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAK 1212-8
封装Reel下降时间17 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1500 mW
上升时间17 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间52 ns

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