您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si8499db-t2-e1

SI8499DB-T2-E1

制造商：Vishay(Vishay,Vishay)
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：- 7.8 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

参考价格

数量单价
1￥5.52
10￥3.80
100￥3.11
250￥2.76
500￥2.48

产品属性关于Vishay(Vishay,Vishay)

描述	MOSFET 20V 16A 13W 26mohm @ 4.5V	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.026 Ohms at - 4.5 V
配置	Single	最大工作温度	+ 125 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	Micro Foot-6
封装	Reel	下降时间	30 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	10 S	栅极电荷 Qg	20 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2.77 W
上升时间	10 nS	典型关闭延迟时间	55 nS

si8499db-t2-e1的相关型号：