| 描述 | MOSFET SO8 NCH 20V | 漏极连续电流 | 10.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 12 m Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 40 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 43 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 26 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 145 ns |
e(sat) /ic 例如，在ic=6a，饱和管压降 vce(sat) =0.2v时，rsat=33mω。由于饱和管压降与ic大小有关，所以在rsat的数值前要注明ic值。例如，在ic=6a时，rsat=33mω。如果已知ic=6a时，rsat=33mω,则可以按pd=rsat×ic2求出管耗值，例如，ic=6a时，rsat= 33mω,则pd为：pd=rsat×ic2 = 33mω×(6a)2=1.188w 用rsat这个参数可以与mosfet的rds(on)作一个比较。例如，型号为si9426dy的n沟道功率mosfet是20世纪90年代的产品，在vgs=4.5v时，其rds(on) =135mω，而zxtn系列在ic=6.5a时，rsat=23～30mω。 hfe参数的表达方式 在一般的双极型三极管的参数资料中，共发射极直流放大系数hfe是一个确定的ic、一个确定的vce条件下给出的。例如，某低频功率三极管的hfe是在ic=0.5a，vce=10v时，给出hfe=15～180。工厂常用不同颜色的色点给hfe分档，如红色点为15～40。 实际上，同一三极管在不同ic时，其hfe有很大变化 ...
