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SI9803DY

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
  • 漏极连续电流:5.9 A
产品属性
描述MOSFET 25V 5.9A 2.5W电阻汲极/源极 RDS(导通)40 mOhms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
下降时间31 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.5 W上升时间30 ns
工厂包装数量100典型关闭延迟时间53 ns

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