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SI9933BDY-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

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产品属性

描述	MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V	漏极连续电流	3.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	60 mOhms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8 Narrow	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1.1 W
工厂包装数量	2500	零件号别名	SI9933BDY-GE3

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