| 描述 | MOSFET 20V 3/2.5A 2W | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 70 mOhms, 120 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual Dual Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 下降时间 | 10 ns, 10 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 4.8 S, 3 S |
| 栅极电荷 Qg | 7 nC, 6.7 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 10 ns, 12 ns |
| 工厂包装数量 | 100 | 典型关闭延迟时间 | 17 ns, 20 ns |
