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SIA400EDJ-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

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参考价格

数量单价
1￥2.21
10￥1.93
100￥1.66
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产品属性

描述	MOSFET 30V 12A 19.2W 19mOhms @ 4.5V	漏极连续电流	12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.019 Ohms at 4.5 V	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	19.2 W
零件号别名	SIA400EDJ-GE3

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