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SIA419DJ-T1-E3

  • 制造商：-
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 5 V
产品属性
描述MOSFET 20V 12A 19W漏极连续电流12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）30 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SC-70-6L封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散19 W
工厂包装数量3000零件号别名SIA419DJ-E3

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