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SIA429DJT-T1-GE3

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
漏极连续电流：- 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0205 Ohms

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参考价格

数量单价
1￥4.00
10￥2.83
100￥2.70
250￥2.42
500￥2.24

产品属性

描述	MOSFET P-Channel 20 V (D-S)	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70	封装	Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	30 S	功率耗散	19 W
零件号别名	SIA429DJT-GE3

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