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SIA445EDJ-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
漏极连续电流：- 12 A

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参考价格

数量单价
1￥4.21
10￥3.31
100￥2.97
250￥2.62
500￥2.35

产品属性

描述	MOSFET -20V 12A 19W 16.5mohm @ 10V	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0165 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SC-70-6L
封装	Reel	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	19 W	零件号别名	SIA445EDJ-GE3

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