| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V，20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A，1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 29 毫欧 @ 5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 8V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 500pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 6.5W，5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 双 | 供应商设备封装 | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SIA778DJ-T1-GE3TR |
