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SIA907EDJT-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
闸/源击穿电压：12 V

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参考价格

数量单价
1￥2.48
10￥2.42
100￥1.73
250￥1.52
500￥1.38

产品属性

描述	MOSFET -20 Volts 4.5 Amps 7.8 Watts	漏极连续电流	4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.047 Ohms	配置	Dual
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK SC-70-6L
封装	Reel	下降时间	10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	11 S	栅极电荷 Qg	15 nC
功率耗散	7.8 Watts	上升时间	10 ns
典型关闭延迟时间	30 ns	零件号别名	SIA907EDJT-GE3

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