您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > sia914dj-t1-e3

SIA914DJ-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SIA914DJ
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.3645
  • 6000$0.34425
  • 12000$0.3402
  • 24000$0.3348
  • 51000$0.324
产品属性
描述MOFSET DUAL N-CH 20V SC70-6FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C53 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs11.5nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 10V功率 - 最大1.9W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装PowerPAK? SC-70-6 双包装带卷 (TR)
其它名称SIA914DJ-T1-E3TR

sia914dj-t1-e3的相关型号: