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SIA975DJ-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.2349
  • 6000$0.2187
  • 15000$0.2106
  • 30000$0.2025
  • 75000$0.19926
产品属性
描述MOSFET P-CH D-S 12V SC-70-6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫欧 @ 4.3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 8V输入电容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 6V
功率 - 最大7.8W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双供应商设备封装PowerPAK? SC-70-6 双
包装带卷 (TR)其它名称SIA975DJ-T1-GE3TR

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