| 描述 | MOSFET N-CH 100V D-S SC75-6L | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 185 mOhm @ 1.9A, 10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 130pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 13W | 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * | 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * | 其它名称 | SIB456DK-T1-GE3TR |
