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SIB456DK-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V D-S SC75-6LFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C185 mOhm @ 1.9A, 10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds130pF @ 50V
功率 - 最大13W安装类型*
封装/外壳*供应商设备封装*
包装*其它名称SIB456DK-T1-GE3TR

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