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  • SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.217
  • 6000$0.203
  • 15000$0.189
  • 30000$0.1785
  • 75000$0.175
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C113 毫欧 @ 2.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.6nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds125pF @ 4V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-75-6L 双供应商设备封装PowerPAK? SC-75-6L 双
包装带卷 (TR)其它名称SIB914DK-T1-GE3TR

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