| 描述 | 8A 1200V ESOP IGBT SIC IN T/R | 技术 | 磁耦合 |
|---|---|---|---|
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 共模瞬变抗扰度（最小值） | 35kV/μs（标准） | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 305ns，325ns |
| 脉宽失真（最大） | - | 上升/下降时间（典型值） | 475ns，447ns |
| 电流 - 输出高、低 | 7.8A，7.3A | 电流 - 峰值输出 | 8A |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | - | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | - |
| 电压 -?输出供电 | 18V ~ 28V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 |
| 供应商器件封装 | eSOP-R16B | 认证机构 | CSA，UL1577，VDE |
