| 描述 | DGTL ISO GATE DRVR | 技术 | 磁耦合 |
|---|---|---|---|
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 1000Vrms |
| 共模瞬变抗扰度（最小值） | 100kV/μs | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 350ns，350ns |
| 脉宽失真（最大） | - | 上升/下降时间（典型值） | 29ns，14ns |
| 电流 - 输出高、低 | 5A，5A | 电流 - 峰值输出 | - |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | - | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | - |
| 电压 -?输出供电 | 22V ~ 28V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 |
| 供应商器件封装 | eSOP-R16B | 认证机构 | VDE |
