| 描述 | DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER | 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 4A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.9 V @ 4 A | 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200 μA @ 600 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 150pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 | 供应商器件封装 | 带箔切割晶片 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
