| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | 系列 | TrenchFET? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.6 欧姆 @ 25A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 155nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8800pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK?（L） | 供应商设备封装 | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SIE808DF-T1-E3TR |
