| 描述 | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.4 毫欧 @ 18.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4200pF @ 10V | 功率 - 最大 | 104W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 10-PolarPAK?（S） |
| 供应商设备封装 | 10-PolarPAK?（S） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SIE822DF-T1-E3TR |
