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SIE850DF-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

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参考价格

数量单价
2010￥13.52
3000￥11.45
6000￥11.25

产品属性

描述	MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V	漏极连续电流	35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	2.5 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PolarPAK-10	封装	Reel
最小工作温度	- 50 C	功率耗散	5.2 W
工厂包装数量	3000	零件号别名	SIE850DF-GE3

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