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  • SIF912EDZ-T1-GE3

SIF912EDZ-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
产品属性
描述MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V漏极连续电流7.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)19 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK-6封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散1.6 W
工厂包装数量3000零件号别名SIF912EDZ-GE3

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