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SiHB16N50C-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：500 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V

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参考价格

数量单价
1￥48.02
10￥43.19
100￥38.85
250￥34.98
500￥31.46

产品属性

描述	MOSFET N-Channel 500V	漏极连续电流	16 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.38 Ohms at 10 V	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263	下降时间	31 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	3 S	栅极电荷 Qg	68 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	38 W
上升时间	156 nS	典型关闭延迟时间	29 nS

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