您的位置:维库电子商城 > 晶体管 > FET,MOSFET > sihb24n65ef-ge3
  • SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥47.78000管件
  • 系列:E
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 24A D2PAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)156 毫欧 @ 12A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)122 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2774 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)250W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-263(D2Pak)
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

sihb24n65ef-ge3的相关型号: