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  • SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.1
  • 25$4.9052
  • 100$4.469
  • 250$4.033
  • 500$3.6188
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 29A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 100V
功率 - 最大250W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D?PAK
包装管件

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