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SIHD3N50D-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.37422
  • 6000$0.35551
  • 15000$0.34081
  • 30000$0.33145
  • 75000$0.32076
产品属性
描述MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.2 欧姆 @ 2.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds175pF @ 100V
功率 - 最大104W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装TO-252AA
包装带卷 (TR)其它名称SIHD3N50D-GE3TR

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