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SIHF12N50C-E3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:12 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥65.21
  • 25¥55.41
  • 100¥47.13
  • 250¥40.09
  • 500¥32.09
产品属性
描述MOSFET N-Channel 500V电阻汲极/源极 RDS(导通)0.46 Ohms
配置Single最大工作温度+ 125 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220FP
封装Reel正向跨导 gFS(最大值/最小值)3 S
最小工作温度- 55 C功率耗散36 W

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