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  • SIHF530-GE3

SIHF530-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 14A TO220ABFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 8.4A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)26 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)670 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)88W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

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