您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sihg17n60d-ge3

SiHG17N60D-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：30 V

发布求购更多供应商

参考价格

数量单价
1￥27.53
10￥23.67
100￥18.35
250￥16.42
500￥15.39

产品属性

描述	MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V	漏极连续电流	17 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	340 mOhms	配置	Single
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-247 AC
封装	Bulk	下降时间	30 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	6.2 S	栅极电荷 Qg	45 nC
功率耗散	277.8 W	上升时间	56 ns
零件号别名	SIHG17N60D-E3

sihg17n60d-ge3的相关型号：