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SiHG25N40D-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：400 V
闸/源击穿电压：30 V

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参考价格

数量单价
1￥25.94
10￥22.36
100￥17.32
250￥15.46
500￥14.49

产品属性

描述	MOSFET 400V 25A 200mOhm @ 10V	漏极连续电流	25 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	200 mOhms	配置	Single
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-247 AC
封装	Bulk	下降时间	37 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	7.4 S	栅极电荷 Qg	44 nC
功率耗散	278 W	上升时间	57 ns

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