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SiHG460B-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：500 V
闸/源击穿电压：20 V

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参考价格

数量单价
1￥27.74
10￥23.87
100￥18.56
250￥16.56
500￥15.53

产品属性

描述	MOSFET 500V 20A 250mOhm @ 10V	漏极连续电流	20 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	250 mOhms	配置	Single
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-247 AC
封装	Bulk	下降时间	56 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	12 S	栅极电荷 Qg	85 nC
功率耗散	278 mW	上升时间	31 ns

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