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SiHG73N60E-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
漏极连续电流：73 A

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产品属性

描述	MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.039 Ohms
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-247AC
封装	Bulk	下降时间	180 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	12 S	栅极电荷 Qg	362 nC
功率耗散	520 W	上升时间	158 ns
典型关闭延迟时间	290 ns

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