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  • SIHK045N60E-T1-GE3

SIHK045N60E-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:1,878现货
  • 价格:1 : ¥79.26000剪切带(CT)2,000 : ¥43.28710卷带(TR)
  • 系列:E
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)49 毫欧 @ 17A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)98 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4013 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)278W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK?10 x 12
封装/外壳8-PowerBSFN

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