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SIHP12N50C-E3

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：500 V
闸/源击穿电压：500 V
漏极连续电流：12 A

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参考价格

数量单价
1￥57.96
25￥49.27
100￥41.88
250￥35.60
500￥28.50

产品属性

描述	MOSFET N-Channel 500V	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.46 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 125 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-220AB
封装	Reel	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	3 S
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	208 W

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