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  • SiHP8N50D-GE3

SiHP8N50D-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:30 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥10.21
  • 10¥9.80
  • 100¥7.18
  • 250¥6.14
  • 500¥5.66
产品属性
描述MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V漏极连续电流8.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)850 mOhms配置Single
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220
封装Bulk下降时间11 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)3 S栅极电荷 Qg15 nC
功率耗散156 W上升时间16 ns
零件号别名SIHP8N50D-E3

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