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SIHU7N60E-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$2.06
  • 25$1.6652
  • 100$1.4985
  • 250$1.332
  • 500$1.1655
产品属性
描述MOSFET N CH 600V 7A TO-251FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 3.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 100V
功率 - 最大78W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装散装

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