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  • SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥9.06000剪切带(CT)3,000 : ¥3.85650卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen IV
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23A(Ta),79.4A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)37 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1710 pF @ 30 VFET 功能-
功率耗散(最大值)5W(Ta),57W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? SO-8
封装/外壳PowerPAK? SO-8

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