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SIM400-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 漏极连续电流:0.35 A
产品属性
描述MOSFET 60V 0.35A 1.9W 3.9ohms @ 10V电阻汲极/源极 RDS(导通)8 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-923
封装Reel下降时间8.5 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.15 S栅极电荷 Qg1.1 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散1.9 W
上升时间10 ns典型关闭延迟时间8.5 ns
零件号别名SIM400-GE3

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