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  • SIR316DP-T1-GE3

SIR316DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1950¥2.76
  • 3000¥2.62
  • 6000¥2.48
  • 12000¥2.28
产品属性
描述MOSFET 25 Volts 30 Amps 25 Watts漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0054 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAK SO-8
封装Reel下降时间8 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)40 S栅极电荷 Qg16.3 nC
功率耗散25 Watts上升时间9 ns
典型关闭延迟时间14 ns零件号别名SIR316DP-GE3

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