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  • SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.70875
  • 6000$0.6825
  • 15000$0.65625
  • 30000$0.64313
  • 75000$0.63
产品属性
描述MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs117nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds4750pF @ 20V
功率 - 最大83W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装带卷 (TR)其它名称SIR414DP-T1-GE3TR

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