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  • SIR482DP-T1-GE3

SIR482DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:35 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0046 Ohms

参考价格

  • 数量单价
  • 1890¥3.73
  • 3000¥3.45
  • 6000¥3.38
  • 12000¥3.24
产品属性
描述MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SO-8封装Reel
正向跨导 gFS(最大值/最小值)50 S栅极电荷 Qg25 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散27.7 W
零件号别名SIR482DP-GE3

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