| 描述 | MOSFET 40V 60A 104W 1.7mohm @ 10V | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0017 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 10 nS |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 110 S | 栅极电荷 Qg | 34.6 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 104 W |
| 上升时间 | 11 nS | 典型关闭延迟时间 | 50 nS |
| 零件号别名 | SIR640DP-GE3 |
